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為了變流器可靠并聯(lián)，分析應(yīng)急電源中的IGBT開關(guān)過程是十分必要。IGBT的開通和關(guān)斷過程曲線見圖1。

開通過程由4部分時間組成：

（1）從外加驅(qū)動脈沖到柵-射電壓充電到U_GEth，稱為開通延遲時間t_d；

（2）集電極電流從0到90%穩(wěn)態(tài)值稱為電流上升時間t_ri，在t_d、t_ri時間內(nèi)，柵-射極間電容在外施正電壓作用下充電，且按指數(shù)規(guī)律上升；

（3）MOSFET工作時漏-源電壓下降時間稱為t_fv1；

（4）MOSFET和GTR晶體管同時工作時漏-源電壓下降時間稱為t_fv2，在t_fv1、t_fv2這一時間段內(nèi)MOSFET開通，流過對GTR的驅(qū)動電流，柵-射極電壓基本維持IGBT完全導(dǎo)通后驅(qū)動過程結(jié)束。柵-射極電壓再次按指數(shù)規(guī)律上升到外施柵極電壓值。

從開通過程來看，IGBT可看作MOSFET驅(qū)動的GTR，其開通過程大部分時間是作為MOSFET來運行，其余時間作為MOSTET和GTR共同運行。

相應(yīng)地，IGBT關(guān)斷過程也可分為四個階段：

（1）向柵極施加負(fù)壓，MOSFET輸入電容放電，內(nèi)部PNP晶體管仍然導(dǎo)通，在最初階段里，關(guān)斷的延遲時間t_d和電壓U_CE的上升時間t_rv；

（2）集電極電流下降到到10%穩(wěn)態(tài)值稱為電流下降時間t_ri；

（3）MOSFET的關(guān)斷過程用t_fi1表示；

（4）t_fi2由PNP晶體管中存儲電荷所決定，此時已建立了漏源電壓，下降時間越短越好。