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總結(jié)前述應(yīng)急電源中的IGBT器件在并聯(lián)的各種影響因素，可以得到IGBT器件并聯(lián)的基本原則如下：

（1）選取同一批次中特性一致的NPT型IGBT器件進(jìn)行并聯(lián)；

（2）每個IGBT器件選用同樣的驅(qū)動電路，且使用獨立的柵極電阻；

（3）盡可能使驅(qū)動電路和驅(qū)動雙絞線布局對稱且采用盡可能短的引線；

（4）并聯(lián)模塊均勻布置在同一塊散熱器上，以獲得最優(yōu)化的熱耦合。

結(jié)合以上原則，設(shè)計了并聯(lián)性能良好的驅(qū)動電路原理，見圖1，其中R_Gon和R_Goff為驅(qū)動末級中共同的柵極前置電阻，圖中的附加驅(qū)動電阻R_Gonx和R_Goffx起著阻尼柵極-發(fā)射級或柵源回路內(nèi)的寄生振蕩的作用，且可以中和因不同的轉(zhuǎn)移特性所引起的負(fù)面影響，R_Gonx和R_Goffx取值應(yīng)在0.5-2歐姆之間。電阻R_Ex的作用是抑制經(jīng)過輔助發(fā)射極的平衡電流。其數(shù)值大約為0.5歐姆。采用V_CEsat實現(xiàn)過流和短路保護(hù)是最有效的保護(hù)方法，電阻R_cx用來確定V_CE實際平均值，數(shù)值大約為47歐姆。

圖1 優(yōu)化的IGBT器件并聯(lián)原理圖

即使模塊選擇、驅(qū)動電路和線路布置都已經(jīng)達(dá)到了最優(yōu)化，但其靜態(tài)和動態(tài)仍然不可能達(dá)到理想的均衡。因此，總的開關(guān)電流相對于額定負(fù)載電流必須有一個適度的降額。從多種不同應(yīng)用的實際經(jīng)驗出發(fā)，推薦使用大約15%-20%的降額幅度。